一种负氧离子手机芯片的制作方法

摘要：

本发明提供了一种负氧离子手机芯片的制作方法，该手机芯片依次由上面保护层(2)、第一负氧离子层(3)、第二负氧离子层(4)、银浆谐振电容层(5)、第三负氧离子层(6)、第四负氧离子层(7)、底面保护层(8)构成。本发明的有益效果在于：该手机芯片不用电，长时间释放高浓度负氧离子，可以长时间连续使用，通过内置银浆谐振电容，把杂乱的电磁波变成对人体有益的脉冲波。

申请号： CN202011235718.0 专利名称： 一种负氧离子手机芯片的制作方法 申请（专利权）人： [蒋思前] 发明人： [蒋思前] 其他信息：