in:(陈去非)

低电压安全电子节能照明装置 CN90201066.2
[黄树新, 陈启秀, 李贡社, 吴文, 陈福元, 陈去非, 陈忠景, 林书樾, 余滨, 章婉珍] 310027浙江省杭州市玉泉 一种低电压安全电子节能灯,是由灯头、灯罩、灯座、荧光灯管和新颖的高频电子镇流器组成。高频电子镇流器具有二倍压整流器或三倍压整流器(6)、双磁环耦合的双晶体管高频振器(7)以及二极管输出电路(8)。在20~40V低电压、工频交流电源作用下,电子镇流器可使荧光灯管启辉照明。该灯可广泛应用于纺织、机械及其他行业需要使用低电压交流电源照明的工作场所,以代替由低电压交流白炽灯泡组成的安全工作灯。它与白炽灯泡相比具有使用寿命长,发光效率高,节电率达75%以上,是一种理想的安全电子节能灯具。
更多详情内容请点击查看
一种微尺度血管网络体外组织及其制备方法 CN202010725231.4
[王金武, 李帅, 王文豪, 马振江, 石国宏, 万克明, 陈去非, 戴尅戎] 200011上海市黄浦区制造局路639号 本发明涉及生物医学领域,特别是涉及一种微尺度血管网络体外组织及其制备方法。所述制备方法包括:1)提供3D打印的牺牲模块;2)将温敏性智能水凝胶和交联水凝胶混合后在温度小于25℃下包覆所述牺牲模块,成型后去除牺牲模块,制备获得宏观尺寸血管网络体外组织;3)将步骤2)所述的宏观尺寸血管网络体外组织在温度36℃~42℃下进行培养,所述温敏性智能水凝胶收缩以及交联水凝胶交联成型后制备获得微尺寸血管网络体外组织。本发明制备过程中不涉及到极限温度或酸碱性溶液,只需在人体生理温度下利用体积收缩,即可实现宏观尺度血管网络向微观尺度血管网络的转变,制备过程和所用材料具有生物相容性。
更多详情内容请点击查看
镜面可换的护目镜 CN202020346149.6
[王金武, 万克明, 石国宏, 杨涵, 刘同有, 陈去非, 戴尅戎, 段德功, 段德胜] 200011上海市黄浦区制造局路639号 本申请提供的一种镜面可换的护目镜。其包括:镜架主体、及前盖;所述前盖适配于所述镜架主体的镜框的轮廓结构,以使所述前盖可拆卸盖合于所述镜框;所述镜架主体、及所述前盖均未设置镜面;所述前盖用于固定覆盖于所述镜架主体上的薄膜,并在需要更换所述薄膜时取下;所述镜架主体、及前盖为3D打印得到的。本申请具有生产周期短,成本低廉,具有良好的经济效益。使用可快速更换的聚乙膜代替镜片,减少了消耗,可在一定程度上缓解护目镜短缺的情况,同时增加了使用的舒适度,减少压伤,同时也更加密闭,减少了暴露的风险,改善在使用过程中被污染物污染后的感染风险或视野不清的问题。
更多详情内容请点击查看
镜面可换的护目镜 CN202010191518.3
[王金武, 万克明, 石国宏, 杨涵, 刘同有, 陈去非, 戴尅戎, 段德功, 段德胜] 200011上海市黄浦区制造局路639号 本申请提供的一种镜面可换的护目镜。其包括:镜架主体、及前盖;所述前盖适配于所述镜架主体的镜框的轮廓结构,以使所述前盖可拆卸盖合于所述镜框;所述镜架主体、及所述前盖均未设置镜面;所述前盖用于固定覆盖于所述镜架主体上的薄膜,并在需要更换所述薄膜时取下;所述镜架主体、及前盖为3D打印得到的。本申请具有生产周期短,成本低廉,具有良好的经济效益。使用可快速更换的聚乙膜代替镜片,减少了消耗,可在一定程度上缓解护目镜短缺的情况,同时增加了使用的舒适度,减少压伤,同时也更加密闭,减少了暴露的风险,改善在使用过程中被污染物污染后的感染风险或视野不清的问题。
更多详情内容请点击查看
一种SrCuSi4O10-Ca3(PO4)2复合生物陶瓷、骨支架及其用途 CN202010658556.5
[王金武, 马红石, 柳毅浩, 马振江, 强磊, 陈去非] 200011上海市黄浦区制造局路639号 本发明涉及复合材料技术领域,一种SrCuSi4O10-Ca3(PO4)2复合生物陶瓷,所述复合生物陶瓷由原料烧结制成,所述原料包括以下重量份的组分:SrCuSi4O10,1wt%~10wt%;Ca3(PO4)2,90wt%~99wt%。一种骨支架,所述骨支架的材料为SrCuSi4O10-Ca3(PO4)2复合生物陶瓷。一种骨支架的制备方法,包括:使用三维打印技术将包含有Ca3(PO4)2粉末、SrCuSi4O10粉末和粘合剂的混合浆料打印成预设的骨支架外型,烧结,获得骨支架。一种骨支架用于制备骨-软骨一体化修复用产品的用途。本发明的骨支架利于重建骨‑软骨缺损,恢复软骨与软骨下骨的界面微观结构,保护软骨不发生骨关节炎的退变,在体内具有骨‑软骨一体化修复效果。
更多详情内容请点击查看
具有改进的非钳位感应开关抗扰性的晶体管结构 CN201580044859.5
[文杰·张, 马督儿·博德, 陈去非, 凯尔·特里尔] 美国加利福尼亚州 一种具有改进的非钳位感应开关抗扰性的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管结构。该LDMOS包括第一导电类型的衬底和相邻的外延层。栅极结构在外延层之上。两者都为第二导电类型的漏区和源区位于外延层内。沟道形成于源区和漏区之间并且布置在栅极结构下方。第一导电类型的体结构至少部分地形成于栅极结构下方并且在源区下方横向延伸,其中外延层的掺杂少于体结构。导电沟槽状馈通元件穿过外延层并接触衬底和源区。LDMOS包括形成于源区下方、且横向靠近并接触所述体结构和所述沟槽状馈通元件的第一导电类型的槽区。
更多详情内容请点击查看
个性化你的检索平台
智能检索区域,可以通过专利号、专利名称、申请人、发明人等关键词检索专利或进行二次检索。也可以对编辑好的检索式进行保存。
筛选条件和检索历史可切换查看,筛选项包含数据源统计、申请人、申请日、发明人、法律信息等。可对数据二次过滤。
列表功能区包含视图切换、字段设置、高亮显示、收藏、分析、同族合并、附图对比、排序等功能。
列表模式
温馨提示:您已选择 条专利,您可以对其进行收藏操作!
复杂搜索

已移除专利

序号 申请号 专利名称