[가고시마아키라, 야마모토히데유키, 이쿠하라쇼지, 마스다도시오, 기츠나이히로유키, 다나카준이치, 모리오카나츠요, 다마키겐지] 일본국 도쿄토 치요다쿠 마루노우치 1초메 6반 6고000-000 본 발명의 목적은 외란에 의한 영향을 억제할 수 있는 플라즈마처리제어장치 및 방법을 제공하는 것이다.본 제어장치은 진공처리실 내에 수용한 시료에 처리를 실시하는 플라즈마처리장치(23)와 처리 중의 공정량을 모니터하는 센서(24)와, 센서로부터의 모니터출력 및 미리 설정한 가공결과의 예측식에 의거하여 가공결과를 추정하는 가공결과 추정모델(25)과, 가공결과 추정모델의 추정결과에 의거하여 가공결과가 목표치가 되도록 처리조건의 보정량을 계산하는 최적 레시피계산모델(26)을 포함하고, 최적 레시피계산모델이 생성한 레시피에 의거하여 플라즈마처리장치(23)를 제어한다.

[이쿠하라 쇼지, 시라이시 다이스케, 야마모토 히데유키, 가고시마 아키라, 에나미 히로미치, 가라시마 요스케, 마츠모토 에이지] 일본국 도쿄도 미나토구 니시신바시 1쵸메 24-14 본 발명은 가동율의 대폭적인 저하를 수반하지 않고 장치상태를 진단할 수 있는 예방보전기술을 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는 진공처리실(1)과, 상기 진공처리실내를 진공 배기하는 배기장치(6)와, 상기 진공처리실내로 처리가스를 도입하는 매스플로우 컨트롤러(5)와, 상기 진공처리실내에서 시료를 탑재하여 흡착 유지하는 탑재전극과, 도입된 상기 처리가스에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 생성하는 고주파 전원(8)과, 시료를 상기 탑재전극상으로 반입하여 처리가 종료된 시료를 반출하는 반송장치를 구비한 플라즈마처리장치 본체(50)와, 상기 플라즈마처리장치 본체를 제어하는 장치제어 컨트롤러(13)를 구비하고, 상기 장치제어 컨트롤러(13)는, 플라즈마처리장치 본체를 미리 설정한 순서에 따라 제어하여 반입된 시료에 시료마다의 처리를 실시하기 위한 복수의 레시피 및 상기 복수의 레시피중 특정 레시피의 실행시에 상기 플라즈마처리장치의 장치 파라미터를 취득하고, 취득한 장치 파라미터를 기초로 플라즈마처리장치 본체의 상태의 양부(良否)를 진단하는 진단장치를 구비하였다.

[이구치, 토시히로, 요시이, 아키토시, 고시마, 아키라, 하세베, 카즈유키] 일본국 도쿄토 미나토쿠 시바우라 3쵸메 9반 1고000-000 본 발명의 세라믹 전자 부품은, 내부에 도체가 배치된 칩 소체와, 외부 전극과, 식별층을 구비하고 있다. 칩 소체는, 서로 대향하는 제 1 및 제 2 단면과, 제 1 및 제 2 단면에 수직이고 또한 서로 대향하는 제 1 및 제 2 측면과, 제 1 및 제 2 단면 및 제 1 및 제 2 측면에 수직이고 또한 서로 대향하는 제 3 및 제 4 측면을 갖고 있다. 외부 전극은, 칩 소체의 상기 제 1 및 제 2 단면에 각각 형성되어 있다. 식별층은, 칩 소체에 있어서의 제 1 측면과 제 2 측면의 적어도 한쪽의 측면에 형성되어 있다. 칩 소체는, 제 1 세라믹으로 형성되어 있다. 식별층은, 제 1 세라믹과는 다른 제 2 세라믹에 의해 형성되어 있는 동시에, 제 3 및 제 4 측면과는 다른 색을 나타내고 있다.

[아사쿠라 료지, 다마키 겐지, 가고시마 아키라, 시라이시 다이스케] 일본국 도쿄도 미나토구 니시신바시 1쵸메 24-14 본 발명은 플라스마에서 웨이퍼를 가공하는 에칭 장치의 데이터를 분석하는 방법이며, 플라스마의 발광 데이터를 구성하는 다수의 파장과 시간 중에서 에칭 처리의 제어에 사용하는 파장과 시간을 특정하는 것을 과제로 한다. 이러한 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 분석 방법은, 다른 복수의 에칭 처리 조건에서 계측한 에칭 처리시에 얻어지는 다른 파장 및 시간에 있어서의 발광 강도를 나타내는 플라스마 발광 데이터를 취득하고, 플라스마 발광 데이터의 복수의 다른 파장과 시간에 대하여, 에칭 처리 조건의 변화와, 당해 파장과 당해 시간에 있어서의 발광 강도의 변화와의 관계를 평가하고, 평가 결과에 의거하여, 에칭 처리 조건의 조정에 사용하는 플라스마 발광 데이터의 파장과 시간을 특정하는 것을 제공한다.

[이구치, 토시히로, 요시이, 아키토시, 고시마, 아키라, 하세베, 카즈유키] 일본 도쿄도 추오구 니혼바시 1죠메 13반 1고000-000 본 발명은 프레스 금형으로부터 가압 후의 그린 시트 적층체를 취출할 때에 적층체를 파손시키지 않고 매우 용이하게 적층체를 프레스 금형으로부터 취출할 수 있고, 또한 재료의 낭비가 없으며, 환경 보전에도 기여하고, 자동화도 용이한 적층형 전자 부품의 제조 방법을 제공한다. 적층체(4a)를 구성하는 복수의 그린 시트 중에서 프레스 금형의 아랫틀(20)에 접하는 적어도 한 장의 외측 그린 시트(14a1)의 접착력을, 당해 외측 그린 시트(14a1)와 함께 적층되는 다른 그린 시트(14a2, 10a, 14a3, 14a4)와 비교하여 약하게 한다. 그 후, 프레스 금형의 아랫틀(20) 위에서 적층체(4a)를 가압한다. 그 후에, 가압 후의 적층체(4a)를 프레스 금형(25)으로부터 취출한다.

[다마리 나나코, 스미야 마사히로, 가고시마 아키라, 마츠쿠라 사토루, 나가타니 유지] 일본국 도쿄토 미나토쿠 토라노몬 1쵸메 17방 1고 반도체 제조 장치의 상태를 진단하는 장치 진단 시스템은, 반도체 제조 장치로부터 수집된 센서 데이터를 입력으로 하여 제1 알고리즘에 의해 건전도 지표가 출력되고, 건전도 지표를 입력으로 하여 제2 알고리즘에 의해 반도체 제조 장치의 정상 시의 역치 공간 데이터가 출력되고, 건전도 지표와 역치 공간 데이터를 입력으로 하여 제3 알고리즘에 의해 반도체 제조 장치의 상태가 진단되는 장치 진단 장치를 구비한다. 건전도 지표는, 반도체 제조 장치의 상태의 건전도에 관한 지표이다.

[가고시마 아키라, 야마모토 히데유키, 이쿠하라 쇼지, 마스다 도시오, 기츠나이 히로유키, 다나카 준이치, 모리오카 나츠요, 다마키 겐지] 일본국 도쿄토 치요다쿠 마루노우치 1초메 6반 6고000-000 본 발명의 목적은 외란에 의한 영향을 억제할 수 있는 플라즈마처리제어시스템 및 방법을 제공하는 것이다.본 제어시스템은 진공처리실 내에 수용한 시료에 처리를 실시하는 플라즈마처리장치(23)와 처리 중의 공정량을 모니터하는 센서(24)와, 센서로부터의 모니터출력 및 미리 설정한 가공결과의 예측식에 의거하여 가공결과를 추정하는 가공결과 추정모델(25)과, 가공결과의 추정모델의 추정결과에 의거하여 가공결과가 목표치가 되도록 처리조건의 보정량을 계산하는 최적 레시피계산모델(26)을 포함하고, 최적 레시피계산모델이 생성한 레시피에 의거하여 플라즈마처리장치(23)를 제어한다.

[가고시마아키라, 야마모토히데유키, 이쿠하라쇼지, 마스다도시오, 기츠나이히로유키, 다나카준이치, 모리오카나츠요, 다마키겐지] 일본국 도쿄토 치요다쿠 마루노우치 1초메 6반 6고000-000 본 발명의 목적은 외란에 의한 영향을 억제할 수 있는 플라즈마처리제어시스템 및 방법을 제공하는 것이다.본 제어시스템은 진공처리실 내에 수용한 시료에 처리를 실시하는 플라즈마처리장치(23)와 처리 중의 공정량을 모니터하는 센서(24)와, 센서로부터의 모니터출력 및 미리 설정한 가공결과의 예측식에 의거하여 가공결과를 추정하는 가공결과 추정모델(25)과, 가공결과의 추정모델의 추정결과에 의거하여 가공결과가 목표치가 되도록 처리조건의 보정량을 계산하는 최적 레시피계산모델(26)을 포함하고, 최적 레시피계산모델이 생성한 레시피에 의거하여 플라즈마처리장치(23)를 제어한다.

[아사쿠라 료지, 다마키 겐지, 가고시마 아키라, 시라이시 다이스케, 스미야 마사히로] 일본국 도쿄도 미나토구 니시신바시 1쵸메 24-14 (과제) 플라즈마 처리의 감시나 제어에 이용하는 발광 파장과 시간 구간을 특정하여, 안정된 플라즈마 처리를 실현할 수 있도록 한다. (해결 수단) 플라즈마를 발생시켜 시료를 플라즈마 처리할 때의 플라즈마의 발광을 나타내는 시계열 데이터에 대해서, 해석 장치에 의해, 플라즈마 처리 구간에 있어서의, 복수의 엘리먼트의 발광 파장과 복수의 시간 구간의 조합을 작성하여, 이 작성한 각각의 파장과 각 시간 구간의 조합에 있어서의 발광 강도의 평균값과 시료를 플라즈마 처리한 횟수와의 상관을, 각각의 파장과 각 시간 구간의 조합에 대해서 산출하고, 이 상관이 가장 큰, 특정의 엘리먼트가 발하는 빛의 파장과 특정의 시간 구간의 조합을, 플라즈마 처리의 감시나 제어에 이용하는 파장과 시간 구간의 조합으로서 선택하도록 했다.

[이쿠하라 쇼지, 야마모토 히데유키, 시라이시 다이스케, 가고시마 아키라] 일본국 도쿄도 미나토구 니시신바시 1쵸메 24-14 본 발명은 간단한 순서로 임의의 에칭 조건하에서의 자기 바이어스전압을 추정하는 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는 시료(2)를 흡착하는 정전흡착기구(1, 10)와, 시료(2)의 이면에 냉각가스(12)를 충전하여 그 압력을 제어하는 기구(13, 14)와, 처리 중인 시료(2)의 이면 압력의 제어상태로부터 시료의 상대적인 정전흡착력을 측정하는 수단을 가지는 에칭처리장치에서의 자기 바이어스전압 측정방법으로서, 처리 중인 시료(2)의 고주파 바이어스전력을 인가한 경우의 시료(2)의 이면 압력의 제어상태로부터 상기 시료의 상대적인 정전흡착력과 이 정전흡착력에 대응하는 정전 흡착 전압을 취득하여 처리 중인 상기 시료의 고주파 바이어스전력을 인가하지 않는 경우의 상기시료의 이면 압력의 제어상태로부터 상기 시료의 상대적인 정전흡착력과 이 정전흡착력에 대응하는 정전 흡착 전압을 취득하고, 취득한 양자의 정전흡착력과 정전흡착력에 대응하는 정전 흡착 전압을 사용하여 자기 바이어스전압을 추정한다.